DC-DC-Wandler in einem integralen Gehäuse werden immer häufiger in der Leistungselektronik zur Isolation der Versorgungsspannungen für die SiC-MOSFET Gate-Treiber verwendet. Bei dieser Anwendung liegt an dem auf der High-Side liegenden Wandler die gesamte geschaltete DC-Link Spannung an. Die in der hochfrequenten SiC-Schaltung entstehenden sehr hohen und steilen Spannungsspitzen (gemessen in nV/s) wirken auf die Isolation […]
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